0.0 0 оценок
0 оценка пользователей

Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям эдс холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности

Приведена методика расчета основных параметров полупроводника – ширины запрещенной зоны, энергии ионизации примесных и рекомбинационных центров – по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности.

Рецензии 0

Этот сайт использует cookies для улучшения качества обслуживания. Мы используем cookies, чтобы обеспечить лучшее взаимодействие.